基本資料 功能說明 應用說明 注意事項 其他

基本資料

　
Question 1

HT48F I/O TYPE FLASH MCU WITH EEPROM內容如何？

Answer
HT48F I/O TYPE FLASH MCU WITH EEPROM 提供1K、2K、4K及8K的Flash Program Memory ，及128x8，256x8之 EEPROM data memory， 編號為HT48F06E、HT48F10E、HT48F30E、HT48F50E、HT48F70E總共5顆IC，規格功能請參考Holtek Data Sheet。

Question 2

HT48F I/O TYPE FLASH MCU WITH EEPROM有何重要功能及特性？

Answer
操作電壓範圍 2.2V ~ 5.5V;
工業溫度規格 -40°C ~ +85°C;
Low Voltage Reset功能;
Flash Program Memory;
EEPROM data Memory;
其他請參考 Holtek Data Sheet.。

功能說明

Question 1

HT48F I/O TYPE FLASH MCU WITH EEPROM的工作頻率為何？

Answer
在5V、3.3V及3個電池的應用，工作頻率達Max. 8MHz (3.3V)。
在3V及2個電池的應用，工作頻率達Max. 4MHz (2.2V)。

Question 2

間接定址如何使用？

Answer
首先將要讀寫之Data Memory的位址先存入位址指針暫存器 (MP)，然後對IAR執行讀寫 (例如: MOV a, IAR)，即可讀到MP所指到的Data (MP的內容當位址)。 間接定址功能特別方便於數列 (array) 的處理，一般先將數列位址放入MP做運算後再讀取所需的數列Data。

Question 3

HT48FXXE內嵌有EEPROM,微控制器在正常工作中是如何對其進行讀/寫的?

Answer
微控制器是通過EECR暫存器(在Bank1的40H位址)來控制的。

通過讀寫EECR暫存器,控制EEPROM的CS、SK和DI/DO信號，以軟體的方式𠖳生EEPROM的操作時序，進而達到讀寫EEPROM的目的。控制EEPROM資料記憶體共有7條命令：READ、ERASE、WRITE、EWEN、EWDS、ERAL和WRAL，詳細可參看規格書。

應用說明

　

Question 1

中斷處理中可否允許相同的中斷再進入？

Answer
理論上在進入中斷時MCU會自動清除EMI旗標 (EMI=0)，並禁止所有中斷的再進入，若中斷處理中用軟體設定EMI旗標 (EMI=1)，則在Stack有空之下， 所有中斷（含相同中斷）皆可再進入。要允許相同的中斷再進入，需特別注意備份資料的處理，應避免已備份之資料被再進入的中斷所破壞。 若不是非常緊急中斷，一般不建議中斷再中斷。

Question 2

沒有Push和POP指令；中斷時資料要如何備份？

Answer
雖然沒有Push和POP指令，程式師仍可指定專用記憶RAM BYTE (例如：db ACCStack; for ACC Storage) 儲存中斷時會被破壞的資料。首先將ACC存入專用記憶體，然後利用ACC依序將Status和其他資料搬移至各別之專用記憶體。在中斷返回前，再反序將其他備份資料，Status和ACC回存，最後再執行RETI返回主程序。

Question 3

查表指令如何使用，有何注意事項？

Answer
查表指令有二種，一種是TABRDC指令，此指令讀取目前指令所在表資料，另一種為TABRDL指令，此指令固定讀取最後一頁表資料。 要查表時首先必需將表的Low Address填入TBLP再執行查表指令，表的Low Byte Data將存入指令指定的記憶體；表的High Byte Data被存入TBLH中， 要注意未滿16-Bit之表Data高位被補0。

Question 4

WDT選用WDT OSC時鐘源時，看門狗如何計算？

Answer
WDT OSC的時鐘週期在工作5V時約介於8 ms~33 ms，看門狗的溢出時間為，時鐘週期 x 2 ^(WS2~WS0)，例如：選S2~WS0=7，
則看門狗溢出時間將介於為8 ms x 128=1 sec 到33 ms x 128=4.2 sec。

Question 5

MCU已經進入HALT Mode為何還有耗電？

Answer
MCU進入HALT會將系統OSC關閉，但WDT OSC (如果Option選WDT Enable) 和RTC OSC仍在工作，而且全部I/O會保持HALT前狀態， 除了WDT OSC和RTC OSC會耗一些電外，最要注意的是Input Port是否浮接或者Output Port是否仍有負載，這些I/O處理要非常小心，否則會耗大電流。

Question 6

可以讓外部中斷不產生喚醒MCU嗎？

Answer
在執行HALT之前先清除EMI再設定EIF=1，則外部中斷就無法喚醒MCU。

Question 7

沒有用到的I/O Pin如何處理？

Answer
若不用之I/O Pin浮接時，會造成IC的耗電，最好的處理方式就是將不用的I/O Pin設定成Output Pin。如果要設成Input Pin則要選擇Pull-high 電阻，如果不選用Pull-high電阻，則將Pin腳接地。

Question 8

2個CLR WDT指令如何使用？

Answer
2個CLR WDT可以增加系統可靠性。若程式有2個主要的交替循環Loop，則可在1個Loop放CLR WDT1，在另1個Loop放CLR WDT2， 一旦程式錯誤或受雜訊干擾造成一直停留在某一個Loop時，WDT就會啟動，發出WDT Time-out重新啟動CPU。

Question 9

使用帶有PA控制暫存器（PAC）的8位元MCU作母體調試程式時，為什麼向PA PIN腳的某一位寫0再寫1，在暫存器觀察窗口中卻看不到PA PIN腳這一位的值有所變化？

Answer
要向PA數據暫存器的某一位元寫入數據，必需先將PA的控制暫存器（PAC）的對應位清0，也就是將其設置為輸出口時，才能有效的將數據寫入數據暫存器（PA）中， 反之，如果此位元是輸入狀態則通過程式不能改變數據暫存器這一位元的值。

Question 10

WDT Clock Source選擇WDT OSC和選擇 fSYS/4有何差別？

Answer
WDT Clock Source選擇WDT OSC則在系統誤入HALT時WDT Timer仍然繼續工作，當WDT Time-out可以再啟動系統。若選擇 fSYS/4則在誤入HALT後，則一直沉睡下去無法Wake-up， 但選擇WDT OSC則需花一些代價 (消耗電流)。在另外一種情形，如果系統正常就有HALT功能，且在HALT時不希望被WDT叫醒，則此時WDT Source可選 fSYS/4。

Question 11

8-Bit TMR值如何設定？

Answer
8-Bit Timer/Counter為一向上數之計數器 (Counter)，每當Counter數到255 (0FFH) 溢出到0時產生中斷 (Interrupt)，所以若要計數為N (N < 256)；則TMR值要設定成 256-N， 設定好後啟動TMR；TMR即從設定值往上數到255溢出到0 (即256)，故所得值即256-(256-N)=N。

Question 12

16-Bit Timer/Counter的設定和讀取順序？

Answer
HT48FxxE I/O Type FLASH MCU WITH EEPROM內部Data Bus均為8-Bit，對於16-Bit資料的讀寫必需兩次才能完成，對16-Bit Timer/Counter的寫必需先寫Low Byte然後寫High Byte， 而讀的順序必需先讀High Byte然後讀Low Byte。

Question 13

16-Bit TMR值如何設定？

Answer
16-Bit Timer/Counter為一向上數之計數器 (Counter)，每當Counter數到65535 (0FFFFH)溢出到0時產生中斷 (Interrupt)，所以若要計數為N (N < 65536)；則TMR值要設定成 65536-N， 設定好後啟動TMR；TMR即從設定值往上數到65535溢出到0 (即65536)，故所得值即65536-(65536-N)=N。

Question 14

PA已經Low為何沒有喚醒MCU？

Answer
MCU的PA Port喚醒為瞬間下降緣觸發，若在執行HALT之前PA已經Low，且在HALT期間一直維持在Low，因為沒有下降緣動作，所以無法喚醒MCU。

Question 15

為何外部中斷有下降緣，仍然沒有喚醒MCU？

Answer
雖然MCU可由中斷喚醒，但嚴格的說是要靠中斷要求旗標 (Request Flag) EIF由0變1才能喚醒。若在MCU進入HALT之前EIF已經設定 (EIF=1)，則再來之INT無法改變EIF的值，
亦即是EIF不能由0變1，所以不能喚醒MCU。

Question 16

在HT-IDE3000系統中，除錯菜單的模式選擇中的軟件模擬為何是反白的，無法選擇？

Answer
在HT-IDE3000系統裏，並不是所有型號的MCU都提供軟件模擬功能的，HT48FXX系列就暫不提供此功能。

Question 17

HT48FXX的MCU中，有BANK0或BANK1。如果是讀寫RAM單元的操作，怎樣確定是在BANK0中還是在BANK1中呢？

Answer
HT48FXX的MCU中，BP的取值確定了讀寫操作RAM的BANK區。BP為0時在RAM的BANK0區，BP為1在RAM的BANK1區。需注意的是，對BANK1區進行讀寫操作時，必須用MP1來間接尋址操作，否則無效。

Question 18

可以在Interrupt Service Routine內執行Call嗎？

Answer
因為HT48FxxE Flash MCU Stack數目有限，在Interrupt中執行Call要特別注意，如果在進入Interrupt時Stack已經滿了，則會造成Stack Overflow，而使得程式無法返回。 所以若要在Interrupt內執行Call，必需考慮在最差情況下之Stack使用數目，務必使在最差狀況下進入Interrupt仍有Stack空間。

Question 19

當系統時鐘選擇RC振盪器時，應用電路上OSC1外接電容有何功能?電容可以不加嗎?

Answer
OSC1外加電容是為了避免和OSC2產生交越干擾，以便讓OSC2輸出一穩定1/4系統頻率的頻率。假如你不需要使用到OSC2輸出的1/4系統頻率的頻率，那麼電容器是可以省略的。

Question 20

使用外部RC振盪時,如何確定準確頻率?

Answer
外部RC是接在微控制器的OSC1端,OSC2端是懸空的。如果要測量準確的頻率，則在OSC2端接上拉2K歐姆的電阻，使用示波器測量OSC2端，就可以測量到Fsys/4的準確頻率。

Question 21

對於有驅動蜂鳴器功能的晶片，在應用時候已選定了其相應IO口為PFD BZ_BZB，並且硬體電路連接無誤，但在按指定IO口輸出狀態去驅動蜂鳴器時，蜂鳴器卻不響是什麼原因?

Answer
晶片是應用由定時器產生的PFD頻率驅動蜂鳴器使其發聲的，請檢查是否已將定時器輸出致能，同時定時器的溢出時間使得PFD的頻率與蜂鳴器的頻率相一致，其中PFD的信號頻率可由等式Fint/[2x(256-N)]計算。 (注：Fint為定時器產生溢出中斷的頻率，N是設定的裝入定時器的初始值。)

Question 22

HT48F06E具有使用內部PFD分頻器輸出信號驅動蜂鳴器的特性，如何應用?

Answer
BZ和/BZ分別與PB0和PB1共用引腳，要應用內部PFD分頻器輸出信號驅動蜂鳴器的功能時，將無源蜂鳴器的兩個腳分別與BZ和/BZ相連接，在掩膜選項中選擇Output Type PB0-PB1為PFD BZ_BZB，設定定時器產生的PFD頻率與蜂鳴器的鳴響頻率一致，並且在使用中要將定時器輸出致能，此時控制PB0的輸出，為1則蜂鳴器響，為0則蜂鳴器不響。

Question 23

使用READ指令讀取HT48F06E/10E/30E和HT48F50E/70E中的EEPROM數據有區別嗎？

Answer
有。READ指令用來讀取EEPROM中一個或多個位元組的數據，執行該指令操作，CS應置高準位緊接著為起始位元“1”和兩位元指令編碼“10”，所有的傳輸經由DI位元。之後位址信息以高位在前的模式發出，對於EEPROM容量為128×8bit 的HT48F06E/10E/30E而言傳輸7位位址，而對於EEPROM容量為256×8bit的HT48F50E/70E則需要傳輸9位元位址，一個空位必須插入指令編碼的最後一位元和位址的MSB之間。位址A0發出後，數據信息以高位元在前的模式在SK上升緣到來時由DO位元讀取。其時序圖如附件圖表所示。

Question 24

存取EEPROM的數據寄存器與存取內部特殊功能寄存器、普通寄存器的方式有何不同?

Answer
存取內部特殊功能寄存器采用直接尋址方式，存取普通寄存器可用直接尋址或通過間址指針(MP0、MP1)作間址尋址來進行訪問。而對於EEPROM的數據寄存器的存取則與以上兩者不同，它需要通過位於BANK 1內的控制寄存器EECR（40H）進行間接尋址訪問。
存取EEPROM的數據寄存器是通過向EECR寫入數據並且經三線串行通訊來實現的。
採用指令包括以下7條：READ，ERASE，WRITE，EWEN，EWDS，ERAL，WRAL。對於七條指令的功能描述及其時序請參看規格書。

Question 25

寫程式時,如欲在program memory建立Table,如何建於絕對位址,為何ORG不適用,有其他方法嗎?

Answer
ORG expression : expression 是對於目前SECTION 起始位址的offset,並非絕對位址,可使用SECTION來建立Table於絕對位址,
例如:
table .section at 300 'code' -即可將接下去之Table起始位置建立於絕對位址300。

Question 26

存取MCU內置的EEPROM時操作位是按照什麼格式處理的?

Answer
是按照MSB的格式傳送數據的，即是高位先傳。數據信息(包括Instruction Code、Address、Data)都是以高位元在前的模式在SK上升緣到來時發送。(SK:Serial Clock時鐘信號)

注意事項

Question 1

MCU Power On時，VDD的上升時間有何限制？

Answer
MCU Power On時為了使Reset可以完全成功，建議Power On VDD上升時間在20ms以內。如果VDD上升緩慢會影響Reset成功。

Question 2

HT48R10A-1的C語言程式，換用HT48F10E編譯後使用的ROM為何會增多？

Answer
HT48R10A-1的RAM只有一個BANK，在對RAM進行操作時，不需要對BP進行操作。
而HT48F10E的RAM有兩個BANK，在編譯生成的ASM代碼中，在對RAM操作的地方，會自動添加進對BP操作的代碼，從而增加了編譯後產生的代碼量。

Question 3

HT46F4xE的EEPROM使用時需要注意的問題?

Answer
HT46F4xE的EEPROM使用時需要注意：1.並不是通過SCL和SDA兩信號來進行讀寫控制,而是通過EEPROM控制寄存器EECR來實現；2.EEPROM的數據不能被其它IC直接讀取，只能由HT46F4xE來直接讀取，原因在於EEPROM沒有與外界通訊的接口；3.通過間接尋址BANK1區塊EECR寄存器來控制EEPROM的CS、SK、DI和DO信號，以軟件的方式產生EEPROM的操作時序，進而達到讀寫EEPROM的目的；4.EEPROM的操作由READ、ERASE、WRITE、EWEN、EWDS、ERAL和WRAL共7條指令來實現，其指令碼和指令時序必須遵從Data Sheet定義的格式。有關EEPROM更詳細的內容以及示例程序請參考HT46F4xE的Data Sheet。

Question 4

HT48F系列有7條控制EEPROM數據存儲器的指令：READ、ERASE、WRITE、EWEN、EWDS、ERAL和WRAL，請問這7條指令是否和其他63條指令一樣可以直接使用？

Answer
不能。63條指令的指令周期都是1或2個機器周期；而HT48F系列EEPROM數據存儲器是以序列方式存取的，這7條命令中的各條指令分別對應特定的時序（詳見規格書），必須嚴格按照規定的時序進行多步操作才能完成指令功能。

其他

Question 1

HT48FXXE使用ISP燒錄時，一共用到哪幾個腳？

Answer
HT48FXXE ISP燒錄一共用到5個腳，分別為VSS，VDD，RESET，SDATA（PA0），SCLK（PA4）。